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晶体管
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FQP3N80C

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数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.215
621.5
500
¥5.4918
2745.9
1,000
¥4.3392
4339.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP3N80C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
43.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.5 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FQP3N80C_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FQP3N80C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSBA143EDXV6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:42538
RN2111MFV,L3F
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:27110
TK12A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52
1:¥17.2099
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.7632
参考库存:3295
SPW20N60CFD
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS CFD
1:¥43.3355
10:¥36.8041
100:¥31.8886
250:¥30.2727
500:¥27.1991
参考库存:2997
PSMN4R8-100PSEQ
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 5 mO std level MOSFET
1:¥27.5833
10:¥23.5153
100:¥20.3626
250:¥19.2891
参考库存:27119

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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