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晶体管
FF100R12RT4参考图片

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FF100R12RT4

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 模块 IGBT Module w/ IGBT & Diode
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库存:2,703(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥420.2357
420.2357
5
¥410.7889
2053.9445
10
¥394.7994
3947.994
25
¥382.053
9551.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
555 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF100R12RT4HOSA1 SP000624754
单位重量
160 g
商品其它信息
优势价格,FF100R12RT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥2.147
500:¥1.7628
1,000:¥1.356
3,000:¥1.356
参考库存:258982
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP
1:¥1.695
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:106299
晶体管
MOSFET Dual P-Channel
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
9,000:¥0.78422
参考库存:20886
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -12V VCEO 5A High Gain Med PWR
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:12808
晶体管
JFET JFET N-Channel
1:¥35.9566
10:¥28.9732
100:¥23.7413
500:¥21.357
参考库存:5280
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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