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晶体管
A2C25S12M3-F参考图片

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A2C25S12M3-F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:3,786(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥398.8787
398.8787
5
¥390.0421
1950.2105
10
¥372.2107
3722.107
25
¥356.5376
8913.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Converter Inverter Brake
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
197 W
封装 / 箱体
ACEPACK2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A2C25S12M3-F
商标
STMicroelectronics
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
优势价格,A2C25S12M3-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥48.251
10:¥43.1095
25:¥38.8042
50:¥37.0414
参考库存:28993
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.7629
10:¥3.1753
100:¥1.9323
1,000:¥1.5029
4,000:¥1.2769
参考库存:28998
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT PNP 100MA 3PIN
1:¥3.2318
10:¥2.2487
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.67574
参考库存:29003
晶体管
IGBT 模块 600V/30A/ SPM2
暂无价格
参考库存:29008
晶体管
MOSFET 30V N Channel Power Mosfet
1:¥3.7629
10:¥2.9154
100:¥2.0001
500:¥1.3786
3,000:¥0.92208
9,000:查看
参考库存:29013
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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