NSBA143EDXV6T1G详细信息_NSBA143EDXV6T1G相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-563-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	15
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	357 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	NSBA143EDXV6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	15
高度	0.55 mm
长度	1.6 mm
宽度	1.2 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	3 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD19532KTT	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET CSD19532Q5B Pkg spin	1:¥18.1365 10:¥15.368 100:¥12.2944 500:¥10.7576 1,000:¥8.9157	参考库存:11103
NST45011MW6T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL MATCHED NPN XSTR 45V	1:¥3.2996 10:¥2.7798 100:¥1.695 1,000:¥1.3108 3,000:¥1.11418	参考库存:26105
2SC6095-TD-E	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2.5A 80V	1:¥4.6895 10:¥3.8872 100:¥2.373 1,000:¥1.8419 2,000:¥1.5594	参考库存:19837
NVD4810NT4G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM	1:¥6.5314 10:¥5.424 100:¥3.503 1,000:¥2.8024 2,500:¥2.3617	参考库存:13824
MCP87130T-U/LC	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 13.0mohm MOSFET	1:¥2.9945 10:¥2.9606 25:¥2.4521 100:¥2.3165 3,300:¥2.0001 9,900:查看	参考库存:7011