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晶体管
IPP180N10N3GXKSA1参考图片

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IPP180N10N3GXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥7.0512
70.512
100
¥5.4127
541.27
500
¥4.7912
2395.6
1,000
¥3.7855
3785.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
43 A
Rds On-漏源导通电阻
15.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
G IPP180N10N3 IPP18N1N3GXK SP000683090
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP180N10N3GXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGTB15N60R2FG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 RC2 IGBT 15A 600V
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:7320
MRFE6VP61K25HR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:4982
FDV301N
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-Ch Digital
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:12992294
C2M0045170D
Wolfspeed / Cree
晶体管
MOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A
1:¥670.0448
100:¥644.3034
参考库存:8666
DMP3017SFGQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A Idm
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.7007
参考库存:110113

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    50万现货SKU

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