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晶体管
MRFE6VP61K25HR5参考图片

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MRFE6VP61K25HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
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数量单价合计
1
¥1,330.9479
1330.9479
5
¥1,298.9011
6494.5055
10
¥1,266.7074
12667.074
25
¥1,248.9551
31223.8775
50
¥1,248.9551
62447.755
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 uA
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
24 dB
输出功率
1.25 kW
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz, 600 MHz
系列
MRFE6VP61K25H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935314411178
单位重量
13.155 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP61K25HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 70Vcbo NPN Switch 60Vceo 5V 500mA
1:¥33.6514
10:¥30.0467
100:¥27.3573
250:¥24.747
参考库存:4517
晶体管
MOSFET -20V -5.3A P-Channel
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:3929
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN TRANSISTOR 200MA 400V
1:¥4.0002
10:¥2.3278
100:¥1.2091
1,000:¥0.85315
3,000:¥0.69947
参考库存:17676
晶体管
JFET JFET N-Channel -50V 10mA 300mW 2mW
1:¥84.298
10:¥69.0769
100:¥57.3249
500:¥52.2512
参考库存:2368
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥8.7575
10:¥7.1416
100:¥5.9551
500:¥4.5991
1,000:¥4.1471
参考库存:9415
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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