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晶体管
CSD18531Q5A参考图片

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CSD18531Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8365
3418.25
2,500
¥5.2658
13164.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18531Q5A
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
开发套件
DRV8711EVM
下降时间
2.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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8,000:¥0.37629
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    50万现货SKU

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