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晶体管
IRF5305PBF参考图片

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IRF5305PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
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库存:69,379(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6727
76.727
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.198
2599
1,000
¥4.1132
4113.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
63 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
66 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SP001564354
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRF5305PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.345
2,500:¥5.6726
5,000:查看
参考库存:1851
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥351.8481
2:¥342.2431
5:¥332.7963
10:¥323.2704
参考库存:1928
晶体管
IGBT 晶体管 FS3 T TO247 40A 65
1:¥41.1094
10:¥36.8832
100:¥30.6569
250:¥28.589
参考库存:4090
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 12A 0.104R
1:¥5.989
10:¥4.9833
100:¥3.2205
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.1696
参考库存:16247
晶体管
MOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9833
1,500:¥3.4917
9,000:查看
参考库存:7414
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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