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晶体管
IPT60R102G7XTMA1参考图片

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IPT60R102G7XTMA1

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库存:100,860(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥41.1094
41.1094
10
¥34.9622
349.622
100
¥30.2727
3027.27
250
¥28.7359
7183.975
2,000
¥20.6677
41335.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
88 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
141 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
CoolMOS G7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPT60R102G7 SP001579318
商品其它信息
优势价格,IPT60R102G7XTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power
1:¥21.2892
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.6786
3,000:¥9.7632
6,000:查看
参考库存:20703
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
4,000:¥1.8758
参考库存:61255
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥21.357
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9047
3,000:¥10.7576
6,000:查看
参考库存:16142
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs TSOP-6
1:¥4.3053
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.5707
参考库存:48399
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC143XT/TO-236AB/REEL 11" Q3
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:95211
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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