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晶体管
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FDT86244

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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
1,000
¥2.2148
2214.8
4,000
¥1.8758
7503.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
2.8 A
Rds On-漏源导通电阻
128 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
4.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Single
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.8 mm
长度
6.5 mm
系列
FDT86244
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.3 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.8 ns
典型接通延迟时间
5.3 ns
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，FDT86244的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD88539ND
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.6048
100:¥4.3166
500:¥3.8081
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:140195
VRF151MP
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥745.8904
2:¥722.7593
5:¥722.522
10:¥699.244
参考库存:1637
2N2904
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W
1:¥17.063
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.5994
参考库存:2604
IPB60R299CPA
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CPA
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
1,000:¥10.7576
2,000:查看
参考库存:6536
2N6661
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 90V 4Ohm
1:¥87.5976
10:¥86.3659
25:¥80.2978
100:¥72.772
参考库存:5663

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    科技智能大仓储

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