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晶体管
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CSD88539ND

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET
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库存:140,195(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.6048
56.048
100
¥4.3166
431.66
500
¥3.8081
1904.05
2,500
¥2.6781
6695.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
7.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
CSD88539ND
晶体管类型
2 N-Channel Power MOSFET
宽度
3.9 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,CSD88539ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor NPN
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.5086
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:36360
晶体管
MOSFET 600V, N-Channel MOSFET, UniFET-II
1:¥8.6106
10:¥7.4015
100:¥5.6839
500:¥5.0172
参考库存:9447
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
3,000:¥2.4634
参考库存:17444
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥35.5724
10:¥29.4252
100:¥24.2837
250:¥23.5153
500:¥21.0519
参考库存:5061
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:5573
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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