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晶体管
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APT75GN120LG

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
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库存：4,571(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥124.5599
124.5599
10
¥113.2599
1132.599
25
¥104.7284
2618.21
50
¥99.0445
4952.225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
Pd-功率耗散
833 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
200 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格，APT75GN120LG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQP11P06
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V P-Channel QFET
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
参考库存:13119
FCPF11N60F
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V NCH MOSFET
1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
参考库存:10856
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans LFreq -50V PNP PNP -0.15A
1:¥2.5312
10:¥1.695
100:¥0.69156
1,000:¥0.53788
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.30736
参考库存:31638
BSR802N L6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3
1:¥3.4578
10:¥2.8702
100:¥1.7515
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1639
参考库存:17720
RN1422TE85LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
1:¥4.0002
10:¥2.3052
100:¥1.1526
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.7684
参考库存:43562

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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