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晶体管
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FDP120N10

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库存:8,663(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.6731
15.6731
10
¥13.2888
132.888
100
¥10.5994
1059.94
500
¥9.2999
4649.95
1,000
¥7.7631
7763.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
74 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP120N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP120N10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220AB
1:¥7.2207
10:¥5.7969
100:¥4.407
500:¥3.6386
参考库存:6308
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:376325
晶体管
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PolarPAK
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
3,000:¥9.831
6,000:查看
参考库存:16327
晶体管
MOSFET Small Signal Mosfet
1:¥3.7629
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:31779
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.8365
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.9493
参考库存:13834
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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