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晶体管
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PXAC213308FV-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥1,036.2665
51813.325
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
320 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PXAC213308FV-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB50R140CP
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
1:¥32.657
10:¥27.7415
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250:¥22.826
1,000:¥17.289
2,000:查看
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IRF7853TRPBF
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1:¥9.6841
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500:¥5.6048
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参考库存:18851
IRFL4315TRPBF
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1:¥5.763
10:¥4.7912
100:¥3.0962
1,000:¥2.486
2,500:¥2.486
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BSZ120P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
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1:¥5.1528
10:¥4.3166
100:¥2.7911
1,000:¥2.2374
5,000:¥1.8871
参考库存:45490
ZVN3310FTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Chnl 100 V
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
3,000:¥1.9097
参考库存:10712

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    50万现货SKU

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