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晶体管
TSM8N80CI C0G参考图片

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TSM8N80CI C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 800V 8A N Channel Power Mosfet
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数量单价合计
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¥10.8367
43346.8
5,000
¥10.4525
52262.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
37 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
133 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TSM8N80CI C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FP35R12KT4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥638.0771
5:¥626.4042
10:¥598.1994
25:¥578.3001
参考库存:3797
RF4E070GNTR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.7629
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:14474
MUN2237T1G
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双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.3108
10:¥1.12209
100:¥0.40002
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:154926
APT100GT120JU2
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥388.8895
5:¥375.8267
10:¥363.6114
25:¥336.2541
参考库存:3933
FGP5N60LS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V/5A Field Stop Low Vcesat
1:¥11.2209
10:¥9.605
100:¥7.3902
500:¥6.5314
参考库存:6865

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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