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晶体管
BSR802N L6327参考图片

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BSR802N L6327

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库存:17,720(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.8702
28.702
100
¥1.7515
175.15
1,000
¥1.356
1356
3,000
¥1.1639
3491.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SC-59-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.7 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
2.5 V
Qg-栅极电荷
4.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSR802
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
4.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
9.8 ns
零件号别名
BSR802NL6327HTSA1 BSR82NL6327XT SP000442484
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSR802N L6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥6.8365
10:¥5.5822
100:¥4.2827
500:¥3.6838
参考库存:39664
晶体管
MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
1:¥4.0002
10:¥2.9945
100:¥1.6159
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.05316
9,000:¥0.9831
参考库存:104731
晶体管
MOSFET P-CHANNEL -20V -6.9A 32mOhm -2.5V capable
1:¥3.842
10:¥2.9606
100:¥1.6046
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.03734
9,000:¥0.97632
参考库存:65938
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,118.9486
2:¥1,092.0546
5:¥1,076.0651
10:¥1,060.8553
参考库存:4100
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.4464
参考库存:60852
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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