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晶体管
HN2A01FU-GR(TE85LF参考图片

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HN2A01FU-GR(TE85LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans LFreq -50V PNP PNP -0.15A
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数量单价合计
1
¥2.5312
2.5312
10
¥1.695
16.95
100
¥0.69156
69.156
1,000
¥0.53788
537.88
3,000
¥0.3842
1152.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.1 V
最大直流电集电极电流
- 150 mA
增益带宽产品fT
80 MHz
系列
HN2A01
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
集电极连续电流
- 150 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，HN2A01FU-GR(TE85LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP3028LFDE-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A
10,000:¥1.07576
参考库存:1756200
DMTH32M5LPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥6.7574
10:¥5.7743
100:¥4.4409
500:¥3.9211
1,000:¥3.0962
2,500:¥3.0962
参考库存:33164
AFT09S282NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 900MHZ 80W OM780-2
250:¥905.4803
参考库存:33169
SP000925524
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
240:¥38.7251
480:¥36.9623
720:¥33.7305
1,200:¥29.3574
参考库存:33174
DMTH10H015SPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥7.7631
10:¥6.5879
100:¥5.0511
500:¥4.4748
1,000:¥3.5256
2,500:¥3.5256
参考库存:33179

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    50万现货SKU

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