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晶体管
SI3476DV-T1-GE3参考图片

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SI3476DV-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 80V Vds 20V Vgs TSOP-6
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库存:48,399(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.4747
247.47
500
¥2.034
1017
1,000
¥1.5707
1570.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
4.6 A
Rds On-漏源导通电阻
93 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
系列
SI3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,SI3476DV-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥24.5888
10:¥20.3626
100:¥16.7466
250:¥16.2155
500:¥14.5996
3,000:¥14.5996
参考库存:17927
晶体管
MOSFET NCH 4.5V DRIVE SERIES
1:¥22.2045
10:¥18.9049
100:¥15.142
500:¥13.221
3,000:¥10.2152
6,000:查看
参考库存:10444
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel Single
1:¥15.2889
10:¥13.5261
100:¥10.6785
500:¥8.2942
5,000:¥5.6387
10,000:查看
参考库存:119696
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
1,500:¥9.4468
4,500:¥9.0626
9,000:¥8.7575
参考库存:39413
晶体管
IGBT 晶体管 FSII 75A 600V Welding
1:¥47.4826
10:¥42.9513
25:¥40.9512
100:¥35.5046
参考库存:3653
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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