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晶体管

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BSM75GD60DLC

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库存:36,602(价格仅供参考)
数量单价合计
10
¥925.8429
9258.429
30
¥906.4069
27192.207
100
¥861.0713
86107.13
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
95 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
330 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM75GD60DLCBOSA1 SP000100374
商品其它信息
优势价格,BSM75GD60DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V, 195A, 1.25 mOhm 180 nC Qg, Logic Lvl
1:¥21.8203
10:¥18.5998
100:¥16.0573
250:¥15.2889
参考库存:11295
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥9.1417
10:¥7.8422
100:¥6.0342
500:¥5.3449
2,500:¥3.729
10,000:查看
参考库存:123877
晶体管
MOSFET 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥11.9102
10:¥9.831
100:¥7.571
500:¥6.5088
1,000:¥5.1415
3,000:¥5.1415
参考库存:32079
晶体管
MOSFET
1:¥6.6896
10:¥5.7404
100:¥4.407
500:¥3.8985
1,000:¥3.0736
4,000:¥3.0736
参考库存:24011
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTD123YQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.49946
5,000:¥0.39211
参考库存:52188
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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