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晶体管
SISS04DN-T1-GE3参考图片

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SISS04DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
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数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥9.831
98.31
100
¥7.571
757.1
500
¥6.5088
3254.4
1,000
¥5.1415
5141.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V, - 12 V
Qg-栅极电荷
93 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
65.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
95 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格,SISS04DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V NPN
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:255627
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥11.8311
10:¥9.4468
100:¥8.7575
500:¥6.8365
1,000:¥5.3901
参考库存:10114
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
2,000:¥0.26894
参考库存:101261
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD024
1:¥9.5259
10:¥7.8422
100:¥5.989
500:¥5.1528
参考库存:20848
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥6.0681
10:¥4.6895
100:¥4.1245
500:¥3.6838
3,000:¥1.9888
9,000:查看
参考库存:25545
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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