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BSM75GB120DN2

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1
¥694.3285
694.3285
5
¥681.5708
3407.854
10
¥650.9139
6509.139
25
¥629.1614
15729.035
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
320 nA
Pd-功率耗散
625 W
封装 / 箱体
Half Bridge1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
94 mm
宽度
34 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM75GB120DN2HOSA1 SP000095923
商品其它信息
优势价格，BSM75GB120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK8A60W,S4VX
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
1:¥20.9728
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.8311
参考库存:4223
FP25R12KT4_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥496.0022
5:¥486.8605
10:¥474.261
25:¥464.9611
参考库存:3890
2N6045
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达林顿晶体管 NPN Darl SW
1:¥20.905
10:¥18.5998
100:¥14.8256
500:¥12.9837
1,000:¥10.7576
参考库存:7712
PDTB143EUX
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晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
1:¥2.7685
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:9469
FZ400R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 620A
1:¥1,056.776
5:¥1,036.0292
10:¥987.6991
25:¥966.9523
参考库存:3921

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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