PDTD113ZT,215详细信息_PDTD113ZT,215相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	1 kOhms
典型电阻器比率	10
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	70
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	500 mA
峰值直流集电极电流	500 mA
Pd-功率耗散	250 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	1 mm
长度	3 mm
宽度	1.4 mm
商标	Nexperia
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	PDTD113ZT T/R
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
APT18F60B	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power FREDFET - MOS8	1:¥50.9404 10:¥40.9512 25:¥40.1828 100:¥37.2674	参考库存:1221
SI1965DH-T1-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -12V Vds 8V Vgs SC70-6	1:¥4.068 10:¥3.0623 100:¥2.2713 500:¥1.8645 3,000:¥1.3108 6,000:查看	参考库存:10648
AUIRF3305	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms	1:¥23.5153 10:¥19.9784 100:¥17.289 250:¥16.4415	参考库存:2225
PDTA143ZT,215	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7	1:¥1.3108 10:¥1.1639 100:¥0.41471 1,000:¥0.27685 3,000:¥0.2147	参考库存:84577
IGW08T120	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 8A	1:¥24.1255 10:¥20.5208 100:¥17.7523 250:¥16.8257 500:¥15.142	参考库存:1569