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晶体管
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IGW08T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 8A
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数量单价合计
1
¥24.1255
24.1255
10
¥20.5208
205.208
100
¥17.7523
1775.23
250
¥16.8257
4206.425
500
¥15.142
7571
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
70 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.03 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW08T120FKSA1 IGW8T12XK SP000013937
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IGW08T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDPF33N25TRDTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET UniFET 250V
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2152
500:¥8.9948
参考库存:7652
DSS4140U-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VCE(SAT) NPN SMT
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:33874
BC857C-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR PNP SOT-23
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:105316
TK100A08N1,S4X
Toshiba
晶体管
MOSFET MOSFET NCh 2.6ohm VGS10V10uAVDS80V
1:¥29.041
10:¥23.3571
100:¥21.2892
250:¥19.21
参考库存:4643
R6020ENZC8
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥28.1257
10:¥23.8995
100:¥20.7468
360:¥19.6733
720:¥17.6732
参考库存:7870

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