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晶体管
R6020ENZC8参考图片

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R6020ENZC8

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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库存:7,870(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.1257
28.1257
10
¥23.8995
238.995
100
¥20.7468
2074.68
360
¥19.6733
7082.388
720
¥17.6732
12724.704
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PF-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
Super Junction-MOS EN
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
67 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
53 ns
工厂包装数量
360
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
150 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
R6020ENZ
单位重量
10 mg
商品其它信息
优势价格,R6020ENZC8的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 ECONO PACK 3 200A, 600V
1:¥1,215.767
5:¥1,186.5678
10:¥1,157.0522
25:¥1,140.848
参考库存:3678
晶体管
MOSFET 40V 175c N-Ch Enh 3.7mOHm 10Vgs 100A
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
2,500:¥3.4578
参考库存:16130
晶体管
MOSFET 850V Vds; 30V Vgs TO-220AB
1:¥33.5836
10:¥27.8206
100:¥22.8938
250:¥22.2045
参考库存:8657
晶体管
MOSFET BUK9M52-40E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
1,500:¥1.11418
参考库存:18634
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥2.9945
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:163826
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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