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晶体管
IPD90N03S4L03ATMA1参考图片

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IPD90N03S4L03ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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库存:22,677(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.6727
76.727
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.2093
2604.65
2,500
¥3.6499
9124.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD90N03
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPD90N03S4L-03 IPD9N3S4L3XT SP000274978
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD90N03S4L03ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-323FL 47kO Input Resist
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:37514
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
1:¥238.204
25:¥206.0103
100:¥178.1897
250:¥165.7484
参考库存:5246
晶体管
MOSFET T6 60V LL S08FL DS
1:¥6.3054
10:¥5.4014
100:¥4.1471
500:¥3.6612
1,500:¥2.5651
9,000:查看
参考库存:15938
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.345
500:¥6.4975
5,000:¥4.5539
10,000:查看
参考库存:44070
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-323FL -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:46677
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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