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晶体管
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ZXTN25100DFHTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V HIGH GAIN
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.8419
1841.9
3,000
¥1.8419
5525.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
2.5 A
增益带宽产品fT
175 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN25100
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 10 mA, 2 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
1810 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，ZXTN25100DFHTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSM100GD120DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE
10:¥1,810.2713
30:¥1,784.9141
参考库存:37631
JAN2N2221A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥90.5921
250:¥82.603
500:¥77.2242
1,000:¥70.851
参考库存:37636
CGH60060D-GP4
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
暂无价格
参考库存:37641
JANSF2N2369A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
暂无价格
参考库存:37646
JAN2N3507A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥126.4018
250:¥115.26
500:¥107.802
参考库存:37651

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