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晶体管
SIHG018N60E-GE3参考图片

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SIHG018N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:6,124(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥131.9388
131.9388
10
¥119.8704
1198.704
25
¥110.8756
2771.89
50
¥104.8866
5244.33
100
¥101.8921
10189.21
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
99 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
228 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
524 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
84 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
197 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
177 ns
典型接通延迟时间
132 ns
商品其它信息
优势价格,SIHG018N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
1:¥11.2209
10:¥9.5259
100:¥7.3563
500:¥6.5088
1,000:¥5.1415
2,500:¥4.5539
参考库存:16226
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.08367
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.24634
参考库存:48433
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
1:¥33.5045
10:¥28.5099
100:¥24.6679
250:¥23.4362
参考库存:8130
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 27 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9212
500:¥5.2319
3,000:¥3.6612
9,000:查看
参考库存:4017
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
1:¥19.21
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
参考库存:4384
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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