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晶体管
FQP3N60C参考图片

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FQP3N60C

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库存:21,154(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.989
598.9
500
¥5.2997
2649.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP3N60C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3.5 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP3N60C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET N-Channel Switch
1:¥2.8476
10:¥1.9662
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
2,000:¥0.59212
参考库存:20359
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF
1:¥6.7574
10:¥5.65
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
3,000:¥2.9154
参考库存:33581
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10K
1:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.54579
20,000:查看
参考库存:76468
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
1:¥3.0736
10:¥1.7402
100:¥0.9379
500:¥0.75258
3,000:¥0.43844
9,000:查看
参考库存:48585
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP/NPN
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:43277
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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