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晶体管
DMT6008LFG-13参考图片

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DMT6008LFG-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF
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数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.65
56.5
100
¥3.6386
363.86
1,000
¥2.9154
2915.4
3,000
¥2.9154
8746.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
22.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMT60
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24.4 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,DMT6008LFG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
参考库存:11330
晶体管
MOSFET Power MOSFET 49.2A 400W 650V
1:¥88.0609
10:¥79.2243
25:¥72.2296
100:¥65.1558
参考库存:32582
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
25:¥432.225
50:¥384.20
参考库存:32587
晶体管
MOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥6.0116
500:¥5.311
1,500:¥3.7177
9,000:查看
参考库存:32592
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥6.6105
10:¥5.5144
100:¥3.5482
1,000:¥2.8476
2,500:¥2.8476
参考库存:14272
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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