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晶体管
TK49N65W,S1F(S参考图片

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TK49N65W,S1F(S

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET 49.2A 400W 650V
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数量单价合计
1
¥88.0609
88.0609
10
¥79.2243
792.243
25
¥72.2296
1805.74
100
¥65.1558
6515.58
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
49.2 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
160 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
TK49N65W
商标
Toshiba
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
270 ns
典型接通延迟时间
130 ns
商品其它信息
优势价格，TK49N65W,S1F(S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6551
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 120Vcbo 60Vceo 6.0Vebo
1:¥37.8776
10:¥33.8096
100:¥30.8151
250:¥27.8206
参考库存:5755
PSMN7R6-100BSEJ
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 7.6 mo FET
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
800:¥8.9157
参考库存:76697
STGB5H60DF
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8591
500:¥6.0681
1,000:¥4.7912
参考库存:12884
BCR 198S H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:5951
FZT1049ATC
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
4,000:¥2.6442
参考库存:47985

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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