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晶体管
RT1E050RPTR参考图片

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RT1E050RPTR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.9154
29.154
100
¥1.582
158.2
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.02152
3064.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSST-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
RT1E050RP
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
RT1E050RP
商品其它信息
优势价格,RT1E050RPTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 300Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 500mA 1.5W
6,000:¥1.2091
10,000:¥1.12209
24,000:¥1.05994
50,000:¥1.03734
参考库存:30805
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1,000:¥45.4938
参考库存:30810
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 4Watt NF 1.3dB GaN
50:¥182.3368
100:¥161.138
250:¥149.838
500:¥139.3855
参考库存:30815
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双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.67574
9,000:¥0.61472
24,000:¥0.5763
45,000:¥0.50737
参考库存:30820
晶体管
MOSFET
1,000:¥108.8868
参考库存:30825
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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