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晶体管
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TN0620N3-G

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数量单价合计
1
¥9.5259
9.5259
10
¥9.379
93.79
25
¥7.91
197.75
100
¥7.1981
719.81
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
300 mS
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
220 mg
商品其它信息
优势价格，TN0620N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CZT3904 BK
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mA NPN GP
1,750:¥3.2996
2,800:¥2.9267
10,150:¥2.825
25,200:¥2.7233
参考库存:34898
IF1322B-TR
InterFET
晶体管
JFET N-Ch Matched 40mV Dual Trans Reel/1000
1,000:¥99.5869
参考库存:34903
TSM4N90CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 900V 4A N Channel Power Mosfet
4,000:¥7.1642
5,000:¥6.9043
10,000:¥6.7574
参考库存:34908
SGD02N60
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A
2,500:¥3.842
10,000:¥3.7064
25,000:¥3.5934
参考库存:34913
IRFR3708TRRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
3,000:¥4.6104
参考库存:34918

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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