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晶体管
STD3NK100Z参考图片

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STD3NK100Z

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Hi Vltg NPN Zener SuperMESH
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库存:15,209(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.9728
20.9728
10
¥17.8314
178.314
100
¥15.4471
1544.71
250
¥14.6787
3669.675
2,500
¥10.5316
26329
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
系列
STD3NK100Z
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.4 S
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD3NK100Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Current
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:20732
晶体管
MOSFET N-Chnl 100V
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
2,000:¥2.2148
参考库存:13009
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9834
500:¥6.1698
1,000:¥4.8703
参考库存:9951
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 1050pF 19A 30V
1:¥7.2998
10:¥5.6048
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
2,500:¥2.4408
参考库存:6983
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -12V -11.5A 14mOhm 38nC
1:¥7.684
10:¥6.5766
100:¥5.0511
500:¥4.4635
1,000:¥3.5256
4,000:¥3.5256
参考库存:40635
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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