RN1111MFV(TPL3)详细信息_RN1111MFV(TPL3)相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VESM-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	700
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1111MFV
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
直流电流增益 hFE 最大值	120 @ 1mA @ 5V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
宽度	0.8 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BC 850CW H6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR	1:¥1.4577 10:¥1.3899 100:¥0.49155 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.25312	参考库存:148470
SQD90P04-9M4L_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified	1:¥21.4361 10:¥17.8314 100:¥13.8312 500:¥12.0684 2,000:¥9.2999 4,000:查看	参考库存:45832
BCX53,146	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin(3+Tab)	1:¥3.0736 10:¥2.1809 100:¥1.00683 1,000:¥0.7684 2,000:¥0.66105	参考库存:32684
NVMFS5C430NWFT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET T6-D3F 40V NFET	1:¥9.9101 10:¥8.4524 100:¥6.5201 500:¥5.763 1,500:¥4.0341 9,000:查看	参考库存:4351
IRG4PC50UDPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz	1:¥68.3876 10:¥61.7771 25:¥58.9408 100:¥51.1777	参考库存:12188