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晶体管
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STGWT30H60DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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数量单价合计
1
¥24.747
24.747
10
¥21.0519
210.519
100
¥18.2156
1821.56
250
¥17.289
4322.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT30H60DFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格，STGWT30H60DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZTX792ASTZ
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Super E-Line
1:¥8.0682
10:¥6.9043
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CSD88539NDT
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1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9833
250:¥4.9833
500:¥4.3957
参考库存:11745
CSD17575Q3T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.8873
250:¥5.8873
500:¥5.198
参考库存:10067
IPP120N08S404AKSA1
Infineon Technologies
晶体管
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1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5204
参考库存:3794
TIP121
STMicroelectronics
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥6.3732
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7685
参考库存:18286

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