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FQA11N90-F109

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数量单价合计
1
¥31.5044
31.5044
10
¥26.8149
268.149
100
¥23.2102
2321.02
250
¥22.0576
5514.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
11.4 A
Rds On-漏源导通电阻
960 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FQA11N90_F109
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
90 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
135 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
165 ns
典型接通延迟时间
65 ns
零件号别名
FQA11N90_F109
单位重量
6.401 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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25:¥496.9966
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