BCR 503 E6327详细信息_BCR 503 E6327相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	40
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	500 mA
峰值直流集电极电流	500 mA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	BCR503
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.3 mm
商标	Infineon Technologies
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	BCR503E6327HTSA1 BCR53E6327XT SP000010839
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMTH6004SK3Q-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V	1:¥10.0683 10:¥8.6106 100:¥6.6105 500:¥5.8421 1,000:¥4.6104 2,500:¥4.6104	参考库存:13689
FDS86540	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V/20V NCh PowerTrench MOSFET	1:¥14.2945 10:¥12.1362 100:¥9.6841 500:¥8.5315 1,000:¥7.0286 2,500:¥6.5427	参考库存:12671
SI1869DH-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-363	1:¥4.5313 10:¥3.6838 100:¥2.8024 500:¥2.3052 1,000:¥1.8419 3,000:¥1.6724	参考库存:75323
FZ800R12KE3	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 1200V 800A	1:¥1,217.1456 5:¥1,187.7882 10:¥1,158.363 25:¥1,142.0684	参考库存:1295
SI3590DV-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR	1:¥6.9947 10:¥5.6387 100:¥4.2827 500:¥3.5369 1,000:¥2.825 3,000:¥2.5651	参考库存:44362