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晶体管
PSMN022-30PL,127参考图片

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PSMN022-30PL,127

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-CHAN 30V 30A
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库存:92,788(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.8025
48.025
100
¥3.0962
309.62
1,000
¥2.486
2486
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
41 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel MOSFET
商标
Nexperia
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
29 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,PSMN022-30PL,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DVR NPN 50V 3A
1:¥7.0738
10:¥5.8421
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
2,500:¥2.5425
参考库存:28161
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥93.4397
250:¥85.2133
500:¥79.6876
1,000:¥73.0771
参考库存:28166
晶体管
IGBT 晶体管 600V IGBT, TO-3P
1:¥39.1093
10:¥34.8831
25:¥31.4253
50:¥29.9676
参考库存:28171
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:28176
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥299.0658
5:¥285.6188
10:¥276.7031
25:¥254.2613
参考库存:28181
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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