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晶体管
HGTG20N60A4D参考图片

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HGTG20N60A4D

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库存:7,774(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.1092
37.1092
10
¥31.5835
315.835
100
¥27.3573
2735.73
250
¥25.9674
6491.85
500
¥23.278
11639
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
290 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG20N60A4D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG20N60A4D_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG20N60A4D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS
1:¥11.2209
10:¥8.9948
100:¥6.8817
500:¥6.0794
参考库存:4847
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:42429
晶体管
JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 3.27mW
1:¥27.5833
10:¥22.2045
100:¥18.2156
500:¥16.3624
参考库存:3061
晶体管
IGBT 模块 Bridge Rectifier 1200V
1:¥278.7032
5:¥272.556
10:¥260.0243
25:¥249.1876
参考库存:2528
晶体管
达林顿晶体管 BIP D2PAK XSTR TR
1:¥21.8203
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥12.9837
800:¥10.7576
参考库存:7695
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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