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晶体管
2SD1918TLQ参考图片

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2SD1918TLQ

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 160V 1.5A
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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥4.8816
48.816
100
¥4.4974
449.74
500
¥4.1132
2056.6
1,000
¥3.729
3729
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CPT-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
集电极—基极电压 VCBO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SD1918
直流电流增益 hFE 最大值
120 at 100 mA, 5 V
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
5.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,2SD1918TLQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥6.0116
500:¥5.311
1,000:¥4.1923
5,000:¥4.1923
参考库存:29784
晶体管
IGBT 模块 600 Volt 50 Amp Half Bridge
1:¥457.198
5:¥448.8247
10:¥430.304
25:¥416.7779
参考库存:4206
晶体管
MOSFET N-Channel DMOS FET Low Threshold 2.0V
1:¥6.4523
10:¥6.3958
25:¥5.3788
100:¥4.9042
2,000:¥3.3448
4,000:查看
参考库存:10888
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
5,000:¥2.5538
10,000:查看
参考库存:16015
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥16.1364
250:¥15.2889
500:¥13.673
800:¥13.673
参考库存:14622
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    50万现货SKU

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