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晶体管
DRA2143E0L参考图片

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DRA2143E0L

  • Panasonic
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
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数量单价合计
3,000
¥0.47686
1430.58
9,000
¥0.42262
3803.58
24,000
¥0.40002
9600.48
45,000
¥0.34578
15560.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Panasonic
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
4.7 kOhms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Mini3-G3-B
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极连续电流
- 100 mA
最大工作温度
+ 150 C
封装
Reel
商标
Panasonic
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，DRA2143E0L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFU530XVL
Nexperia
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.9379
20,000:¥0.89157
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:31458
MRFE6VP6600GNR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥654.5186
参考库存:31463
DDTA114TCA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:31468
ZTX694BSTZ
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
2,000:¥3.1075
参考库存:274511
DF100R07W1H5FPB54BPSA2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 Easy 650V booster power module with IGBT TRENCHSTOP 5, CoolSiC Schottky diode Solder Contact Technology and pre-applied Thermal Interface Material.
30:¥365.9166
60:¥365.8375
120:¥331.5646
270:¥320.1177
参考库存:31475

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