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晶体管
IKB40N65ES5ATMA1参考图片

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IKB40N65ES5ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 40A 650V TRENCHSTOP 5 medium speed S5 IGBT copacked with 40A Rapid 1 diode
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数量单价合计
1
¥37.4934
37.4934
10
¥31.8886
318.886
100
¥27.6624
2766.24
250
¥26.2047
6551.175
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
79 A
Pd-功率耗散
230 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
79 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
IKB40N65ES5 SP001613464
商品其它信息
优势价格，IKB40N65ES5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQPF47P06YDTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET -60V -30A P-Channel
1:¥24.8939
10:¥21.131
100:¥18.3625
250:¥17.3681
参考库存:4225
FDP80N06
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V N-Channel
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
参考库存:8732
IPD30N03S4L-14
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥5.6839
10:¥4.7573
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.0792
参考库存:17599
50A02CH-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 0.5A 50V
1:¥3.9211
10:¥2.486
100:¥1.06785
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.62263
参考库存:43216
NDP7060
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET TO-220 N-CH ENHANCE
1:¥27.12
10:¥23.052
100:¥19.9784
250:¥18.9049
500:¥16.9839
参考库存:8423

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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