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晶体管
IKB40N65ES5ATMA1参考图片

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IKB40N65ES5ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 40A 650V TRENCHSTOP 5 medium speed S5 IGBT copacked with 40A Rapid 1 diode
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数量单价合计
1
¥37.4934
37.4934
10
¥31.8886
318.886
100
¥27.6624
2766.24
250
¥26.2047
6551.175
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
79 A
Pd-功率耗散
230 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
79 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
IKB40N65ES5 SP001613464
商品其它信息
优势价格，IKB40N65ES5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJF31CG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 30W NPN
1:¥7.9891
10:¥6.8026
100:¥5.2319
500:¥4.6217
参考库存:9772
FDP12N50NZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.1642
参考库存:8644
TIP29
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.8364
10:¥3.9889
100:¥2.4295
1,000:¥1.8871
2,500:¥1.6046
参考库存:10326
NVR4003NT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET 30V .56A 1500M
1:¥2.8476
10:¥1.8871
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
10,000:¥0.42262
20,000:查看
参考库存:33325
2SB1124T-TD-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW-SATURATION VOLTAGE
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:16988

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    50万现货SKU

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