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晶体管
SIHA17N80E-E3参考图片

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SIHA17N80E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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数量单价合计
1
¥37.5725
37.5725
10
¥31.1993
311.993
100
¥25.6623
2566.23
250
¥24.8939
6223.475
500
¥22.2836
11141.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
122 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
71 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,SIHA17N80E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 100V 2A
1:¥6.1472
10:¥5.1302
100:¥3.2996
1,000:¥2.6442
参考库存:15137
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP HighCt HighV
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:21279
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Saturation
1:¥3.7629
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
9,000:¥0.95259
参考库存:31441
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:75688
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:18660
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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