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晶体管
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2N3810

  • Microsemi
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
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数量单价合计
1
¥154.7535
154.7535
10
¥140.6172
1406.172
25
¥130.0856
3252.14
50
¥123.1022
6155.11
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-78-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
200 mV
最大直流电集电极电流
50 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
450 at 100 uA, 5 VDC
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
150 at 100 uA, 5 VDC
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，2N3810的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN2904FE,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:34014
APT30GS60BRDLG
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi
1:¥66.8508
10:¥60.1612
25:¥54.7824
50:¥51.0195
参考库存:34019
DMN3018SFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF
3,000:¥0.99101
9,000:¥0.92208
参考库存:93574
MRFX1K80N-230MHZ
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80N-230MHZ
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:34026
NTMFS4C03NT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
1:¥6.6105
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
5,000:¥2.6555
10,000:查看
参考库存:34031

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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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