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晶体管
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IKA10N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
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数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
1,000
¥7.2885
7288.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
11.7 A
Pd-功率耗散
30 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
9.25 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKA10N60TXKSA1 SP000215376
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IKA10N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTC144EET1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:115949
DRC2514E0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.8024
100:¥1.7628
500:¥1.4238
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:12551
RCX220N25
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0512
参考库存:4768
VRF148A
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
暂无价格
参考库存:32807
DXT651-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR NPN
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:57470

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