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晶体管
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ZXTN19055DZTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN HIGH GAIN
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库存：10,850(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.407
44.07
100
¥2.8476
284.76
1,000
¥2.2713
2271.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
55 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
6 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN190
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.6 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
250 at 10 mA, 2 V, 250 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V, 30 at 6 A, 2 V
Pd-功率耗散
2100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格，ZXTN19055DZTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5021
InterFET
晶体管
JFET P-Ch -50V JFET 50mA 500mW 4mW 1nA
1:¥93.4397
10:¥76.614
100:¥63.5512
500:¥57.9351
参考库存:36186
2731GN-200M
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥4,744.5649
参考库存:36191
FDPF10N50UT
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 500V 8A N-Chan UniFET
1,000:¥5.4805
2,000:¥4.859
10,000:¥4.6782
参考库存:36196
FS225R12OE4P
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
4:¥2,746.3407
8:¥2,680.2583
12:¥2,613.7126
28:¥2,577.0554
参考库存:36201
MPS6652
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH CRNT AMP TRNSTR
5,000:¥1.4012
10,000:¥1.2995
25,000:¥1.2317
50,000:¥1.2091
参考库存:36206

  • 海量现货

    50万现货SKU

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