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晶体管
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FDD850N10L

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数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.5596
55.596
100
¥4.2601
426.01
500
¥3.7742
1887.1
2,500
¥2.6442
6610.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
15.7 A
Rds On-漏源导通电阻
64 mOhms
Qg-栅极电荷
22.2 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD850N10L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
31 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，FDD850N10L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FT150R12KE3G_B4
Infineon Technologies
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IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
1:¥1,627.3921
5:¥1,588.2828
10:¥1,548.7893
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参考库存:25653
TSM4925DCS RLG
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1:¥9.831
10:¥8.6784
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5,000:查看
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RJH60D1DPE-00#J3
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1,000:¥10.9836
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1:¥6.6896
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
2,500:¥2.6894
10,000:查看
参考库存:25668
IPZ60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥155.375
5:¥153.7591
10:¥143.3066
25:¥136.8543
参考库存:4969

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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