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晶体管
BSC009NE2LSATMA1参考图片

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BSC009NE2LSATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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库存:55,080(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.5261
13.5261
10
¥11.526
115.26
100
¥9.2208
922.08
500
¥8.0682
4034.1
1,000
¥6.6896
6689.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
168 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
BSC009NE2LS BSC9NE2LSXT SP000893362
单位重量
119 mg
商品其它信息
优势价格,BSC009NE2LSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V
1:¥14.3736
10:¥12.7577
100:¥10.1474
500:¥7.91
1,000:¥6.3732
3,000:¥5.9099
参考库存:70137
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 25V 2A 4PIN
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.4182
1,000:¥1.8758
2,000:¥1.5933
参考库存:4029
晶体管
IGBT 模块 ELECTRONIC COMPONENT
1:¥1,133.8533
5:¥1,106.5751
10:¥1,079.0596
25:¥1,063.9289
参考库存:1661
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:35428
晶体管
MOSFET FET 60V 1.65 MOHM PQFN56
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
3,000:¥15.368
参考库存:15945
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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