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晶体管
STW65N65DM2AG参考图片

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STW65N65DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存：6,739(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥63.9354
63.9354
10
¥57.7882
577.882
25
¥55.0988
1377.47
100
¥47.8668
4786.68
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
产品
Power MOSFET
系列
STW65N65DM2AG
类型
High Voltage
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
11.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13.5 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
114 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW65N65DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTC113ZU3HZGT106
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 1kO SOT-323
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:33005
BUK6Y32-60PX
Nexperia
晶体管
MOSFET BUK6Y32-60P/SOT669/LFPAK
1:¥8.3733
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
参考库存:10512
RS1E130GNTB
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5594
2,500:¥1.3334
参考库存:14314
DMN10H220LQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 3K
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:32941
RGPR30BM40HRTL
ROHM Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.232
1,000:¥5.7065
2,500:¥5.0624
参考库存:27503

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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