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晶体管
IRL8113PBF参考图片

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IRL8113PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 30V 105A 23nC 6mOhm Qg log lvl
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数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0851
3542.55
1,000
¥5.5935
5593.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
105 A
Rds On-漏源导通电阻
7.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001576430
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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